| 发明名称 | 磁隧道结器件、电子系统以及存储系统及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种磁隧道结器件，该磁隧道结器件包括：固定磁结构；自由磁结构；自由磁结构；以及在固定磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒，固定磁结构和自由磁结构的至少之一包括垂直磁化保存层、在垂直磁化保存层与隧道势垒之间的磁性层、以及在垂直磁化保存层与磁性层之间的垂直磁化诱导层。 | ||
| 申请公布号 | CN102683580A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201210072710.6 | 申请日期 | 2012.03.19 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴正宪;吴世忠;金佑填;朴相奂;李将银;林佑昶 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种磁隧道结器件，包括：固定磁结构；自由磁结构；以及在所述固定磁结构与所述自由磁结构之间的隧道势垒，所述固定磁结构和所述自由磁结构的至少之一包括：垂直磁化保存层，在所述垂直磁化保存层与所述隧道势垒之间的磁性层，以及在所述垂直磁化保存层和所述磁性层之间的垂直磁化诱导层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||