| 发明名称 | 存储元件和存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于包括离子源层和电阻变化层的存储层中出现的电特性变化来存储信息的存储元件以及包括多个所述存储元件的存储装置。所述存储层包括：电阻变化层，其设置在所述第一电极一侧，且具有单层或多层结构，所述单层结构或多层结构包括如下层，所述单层结构或多层结构所包括的层的最主要组成是作为阴离子成分的碲；以及离子源层，其设置在所述第二电极一侧，且包含金属元素及一种或多种包括碲、硫和硒的硫族元素，且所述金属元素包括铝，所述离子源层中的铝的含量为27.7原子％以上且47.4原子％以下。由此，本发明的存储元件能够以低电流进行良好操作并具有令人满意的保持特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102683378A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201210042751.0 | 申请日期 | 2012.02.22 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 水口彻也;大场和博;保田周一郎;紫牟田雅之;河内山彰;清宏彰 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 武玉琴;陈桂香 |
| 主权项 | 一种存储元件，所述存储元件依次包括第一电极、存储层和第二电极，其中，所述存储层包括：电阻变化层，其设置在所述第一电极一侧，并具有单层或多层结构，所述单层结构或多层结构包括如下层，所述单层结构或多层结构所包括的层的最主要组成是作为阴离子成分的碲；以及离子源层，其设置在所述第二电极一侧，并包含金属元素及一种或多种包括碲、硫和硒的硫族元素，且所述金属元素包括铝，所述离子源层中的铝的含量为27.7原子％以上且47.4原子％以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||