| 发明名称 | 存储器元件和存储器设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及存储器元件和包括多个所述存储器元件的存储器设备。所述存储器元件依次包括第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括布置于所述第一电极一侧的电阻变化层及布置于所述第二电极一侧的离子源层，所述离子源层具有2.8mΩcm以上且低于1Ωcm的电阻率。由此，本发明提供了能够在以低电压或电流进行操作期间具有提高的重复特性的存储器元件和存储器设备。 | ||
| 申请公布号 | CN102683348A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201210041342.9 | 申请日期 | 2012.02.21 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 保田周一郎;水口彻也;紫牟田雅之;荒谷胜久;大场和博 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 武玉琴;陈桂香 |
| 主权项 | 一种存储器元件，所述存储器元件依次包括第一电极、存储层及第二电极，其中，所述存储层包括：电阻变化层，其布置在所述第一电极一侧；及离子源层，其布置在所述第二电极一侧，并具有2.8mΩcm以上且低于1Ωcm的电阻率。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||