发明名称 |
镀膜方法 |
摘要 |
一种镀膜方法,提供气体源和离子源,气体源用于镀膜过程中的化学反应,离子源用于发射离子,在镀第一膜层时,使用较小的离子源强度配合较大的氧气通量,并以渐进式的方式将离子源强度慢慢增加,同时氧气通量慢慢减小,然后在某一预设的离子源强度和氧气通量时维持第一时间段,接着再将离子源强度慢慢减小,氧气通量慢慢增大,在另一预设的离子源强度和氧气通量时维持第二时间段,然后离子源强度又开始慢慢增加,氧气通量又开始慢慢减小,重复上述步骤直至镀膜完成。上述镀膜方法中利用离子源与氧气的配合,增加了膜层附着性与致密性,又利用了离子源强度的变化,降低了膜层之间的应力作用,有效的防止了膜层的破裂和脱膜,提高了膜品质。 |
申请公布号 |
CN101469404B |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN200710203468.0 |
申请日期 |
2007.12.27 |
申请人 |
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
简士哲 |
分类号 |
C23C14/32(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/32(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种镀膜方法,在镀膜过程中提供一个气体源和一个离子源,气体源用于镀膜过程中的化学反应,离子源用于发射离子,以利用离子轰击效应辅助镀膜,其特征在于:在开始镀第一层膜时,使用较小的离子源强度配合较大的氧气通量,并以渐进式的方式将离子源强度慢慢增加,同时氧气通量慢慢减小,然后在某一预设的离子源强度和氧气通量时维持第一时间段,接着再将离子源强度慢慢减小,氧气通量慢慢增大,在另一预设的离子源强度和氧气通量时维持第二时间段,然后离子源强度又开始慢慢增加,氧气通量又开始慢慢减小,重复上述步骤直至镀膜完成。 |
地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |