一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)制绒；(2)在硅片背面的通孔方块区域设置阻挡层；所述阻挡层为二氧化硅乳胶，采用丝网印刷或喷墨的方法进行设置；所述硅片背面的通孔方块区域包括硅片背面的孔及孔的周围区域；(3)在硅片的背面进行扩磷；(4)开孔；(5)刻蚀周边结、清洗；(6)在硅片的正面和孔内进行扩硼；(7)刻蚀；(8)设置钝化减反射膜；(9)在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；即可得到N型双面背接触晶体硅太阳能电池。本发明解决了背面通孔方块区域不能掺磷的问题，在太阳能电池背面与导电孔，以及背面方块区电极之间不会形成接触漏电。

主权项

一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 在N型硅片的正面和背面进行制绒；(2) 在硅片背面的通孔方块区域设置阻挡层；所述阻挡层为二氧化硅乳胶，采用丝网印刷或喷墨的方法进行设置；所述硅片背面的通孔方块区域包括硅片背面的孔及孔的周围区域；(3) 在硅片的背面进行扩磷，形成扩磷层；(4) 在硅片上开孔；(5) 刻蚀周边结、去除硅片背面的阻挡层、清洗；(6) 在硅片的正面和孔内进行扩硼，形成扩硼层；(7) 刻蚀周边结；去除硅片表面的杂质玻璃；(8) 在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜；(9) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；即可得到N型双面背接触晶体硅太阳能电池。