发明名称 |
用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法 |
摘要 |
本发明涉及一种用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法,包括:配料工序:采用高纯Si粉和高纯C粉为原料,高纯Si粉和高纯C粉的摩尔比大于1∶1且在1.5∶1以下;预处理工序:将高纯Si粉和高纯C粉放入坩埚中,然后置于加热炉中,对加热炉的生长室抽高真空至1×10-3Pa以下,同时将温度升高至600~1300℃;以及高温合成工序:在规定压力的高纯非氧化性气氛下,于反应温度1500~2500℃下,保持反应2~20小时,而后降至室温,即可得到用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料。 |
申请公布号 |
CN102674357A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210169640.6 |
申请日期 |
2012.05.29 |
申请人 |
上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
高攀;陈建军;刘熙;严成锋;孔海宽;忻隽;郑燕青;施尔畏 |
分类号 |
C01B31/36(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/36(2006.01)I |
代理机构 |
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 |
代理人 |
曹芳玲;郑优丽 |
主权项 |
一种用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法,其特征在于,所述合成方法包括:配料工序:采用高纯Si粉和高纯C粉为原料,所述高纯Si粉和高纯C粉的摩尔比大于1:1且在1.5:1以下;预处理工序:将所述高纯Si粉和高纯C粉放入坩埚中,然后置于加热炉中,对所述加热炉的生长室抽高真空至1×10‑3Pa以下,同时将温度升高至600~1300℃;以及高温合成工序:在规定压力的高纯非氧化性气氛下,于反应温度1500~2500℃下,保持反应2~20小时,而后降至室温,即可得到用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料。 |
地址 |
201800 上海市嘉定区城北路215号 |