半导体激光器

摘要

本发明提供半导体激光器。该半导体激光器包括柱形层叠结构，该柱形层叠结构从基板开始依次包括基板上的第一多层反射镜、第一间隔层、AlxGayIn1-x-yP(其中0≤x＜1且0＜y＜1)基有源层、第二间隔层、第二多层反射镜和横模调节层，该柱形层叠结构还包括电流窄化层。电流窄化层包括在面内中间区域中的未氧化区域和在未氧化区域周围的环形氧化区域。横模调节层包括与未氧化区域对应的高反射区域和在高反射区域周围的环形低反射区域。假设未氧化区域的直径为Dox，高反射区域的直径为Dhr，则直径Dox和Dhr满足下面0.8＜Dhr/Dox＜1.5的关系。

主权项

一种半导体激光器，包括：柱形层叠结构，从基板开始依次包括所述基板上的第一多层反射镜、第一间隔层、AlxGayIn1‑x‑yP基有源层、第二间隔层、第二多层反射镜和横模调节层，其中0≤x＜1且0＜y＜1，所述柱形层叠结构还包括电流窄化层，其中所述电流窄化层包括：在面内中间区域中的未氧化区域，以及在所述未氧化区域周围的环形氧化区域，其中所述横模调节层包括：与所述未氧化区域对应的高反射区域，以及在所述高反射区域周围的环形低反射区域，并且其中假设所述未氧化区域的直径为Dox，所述高反射区域的直径为Dhr，则当操作温度为25℃时直径Dox和Dhr满足下面的关系：0.8＜Dhr/Dox＜1.0。