发明名称 |
小直径射频驱动氘氘中子管 |
摘要 |
本实用新型提供了一种小直径射频驱动氘氘中子管,本实用新型所述的等离子体发生器、储存器和门电极均设置在外壳内的一侧,加速电极、靶和阴极均设置在外壳内的另一侧,加速电极和阴极均设置在靶内,阴极的一端与加速电极固定连接,阴极的另一端与一个外引接线柱二固定连接,靶的一端固定连接有一个外引接线柱二,储存器设置在等离子体发生器的内侧,门电极设置在等离子体发生器的外侧,等离子体发生器、储存器和门电极各与一个外引接线柱一固定连接,外壳的内壁上固结有一层绝缘层。本实用新型结构紧凑,直径最小可达22mm,应用领域广;产生的中子能量为2.45MeV,尤其适用于中子-中子测井、中子-俘获能谱测井以及其它低能中子应用领域。 |
申请公布号 |
CN202444688U |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201220024282.5 |
申请日期 |
2012.01.19 |
申请人 |
哈尔滨市源盛达电子技术有限公司 |
发明人 |
李庚 |
分类号 |
H05H3/06(2006.01)I |
主分类号 |
H05H3/06(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种小直径射频驱动氘氘中子管,包括:三个外引接线柱一、等离子体发生器、储存器、门电极、加速电极、靶、阴极、外壳、绝缘层和两个外引接线柱二,其特征在于,所述的等离子体发生器、储存器和门电极均设置在外壳内的一侧,加速电极、靶和阴极均设置在外壳内的另一侧,加速电极和阴极均设置在靶内,阴极的一端与加速电极固定连接,阴极的另一端与一个外引接线柱二固定连接,靶的一端固定连接有一个外引接线柱二,储存器设置在等离子体发生器的内侧,门电极设置在等离子体发生器的外侧,等离子体发生器、储存器和门电极各与一个外引接线柱一固定连接,外壳的内壁上固结有一层绝缘层。 |
地址 |
150006 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街161号金工电子大厦519室 |