发明名称 |
铁电极板晶畴反转的方法及其应用 |
摘要 |
本发明涉及一种控制晶核形成的方法,该方法可在单畴铁电极板(例如掺氧化镁铌酸锂的极板)上实现设计的晶畴反转。该方法包括:利用电晕放电法,对带有指定电极光栅的极板进行第一次极化,形成电极光栅下的浅晶畴反转(即晶核形成),紧接着,根据静电法进行第二次晶体极化,以实现均匀的深晶畴反转。本发明的另一个目的在于提供一种生成宽波带光源的方法,该方法采用一种具有周期性晶畴反转结构的非线性晶体。 |
申请公布号 |
CN101821665B |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN200880101300.1 |
申请日期 |
2008.07.31 |
申请人 |
南京长青激光科技有限责任公司 |
发明人 |
胡烨 |
分类号 |
G02F1/05(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I;G02F1/37(2006.01)I;H01S3/06(2006.01)I;H01S3/0933(2006.01)I;H01S3/14(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/05(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;吴孟秋 |
主权项 |
一种铁电极板晶畴的反转方法,该方法采用一个电极光栅,由第一极化步骤和第二极化步骤组成,第一步是在电极光栅下方生成均匀的晶畴反转了的晶核,第二步是在初始晶核形成区域穿过极板厚度形成均匀的深晶畴反转,其中,在第一步极化过程中,其中采用了电晕放电晶体极化法,在电极光栅下方区域生成晶畴反转了的晶核;在第二步极化过程中,其中采用了静电极化法,在初始晶核形成区域内,穿过铁电极板的整个厚度区域形成均匀的深晶畴反转。 |
地址 |
210046 中国江苏省南京市栖霞区经济技术开发区恒竞路58号电子装配楼 |