发明名称 |
一种导电膜、其制备方法和应用 |
摘要 |
本发明适用于光电材料技术领域,提供了一种导电膜,其制备方法和应用。该导电膜制备方法包括:将三氧化二铝、二氧化硅掺杂于氧化锌混合,烧结作为靶材;所述混合物中三氧化二铝的质量百分含量为0.5%~3%,所述二氧化硅的质量百分含量为0.5%-1.5%,余量为所述氧化锌;将所述靶材装入磁控溅射腔体内,所述磁控溅射中在垂直于溅射粒子飞行方向施加线圈匝数为50N~500N,励磁电流为0.1A~5A的电磁场,得到导电膜。采用本发明的制备方法能够提高导电膜的结晶质量,降低电阻率。 |
申请公布号 |
CN102676992A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201110055809.0 |
申请日期 |
2011.03.09 |
申请人 |
海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
发明人 |
周明杰;王平;陈吉星;冯小明 |
分类号 |
C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/08(2006.01)I |
代理机构 |
深圳中一专利商标事务所 44237 |
代理人 |
张全文 |
主权项 |
一种导电膜制备方法,包括如下步骤:将三氧化二铝、二氧化硅掺杂于氧化锌混合,烧结作为靶材;所述混合物中三氧化二铝的质量百分含量为0.5%~3%,所述二氧化硅的质量百分含量为0.5%‑1.5%,余量为所述氧化锌;将所述靶材装入磁控溅射腔体内,抽真空至1.0×10‑3Pa~1.0×10‑5Pa,设置工作压强为0.2Pa~1.5Pa,以氢气与惰性气体混合气体为工作气体,其中,氢气的体积百分含量为1%~10%,气体流量15sccm~25sccm,衬底温度为300℃~650℃,所述磁控溅射中在垂直于溅射粒子飞行方向施加线圈匝数为50N~500N,励磁电流为0.1A~5A的电磁场,得到导电膜。 |
地址 |
518052 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层 |