| 发明名称 | SONOS栅极结构及其制备方法、以及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了SONOS栅极结构及其制备方法、以及半导体器件。根据本发明的SONOS栅极结构包括：布置在衬底上的第一隧穿氧化层、布置在所述第一隧穿氧化层上的电荷存储氮化硅层、布置在所述电荷存储氮化硅层上的第二氧化硅层、布置在所述第二氧化硅层上的Si/N含量渐变的渐变薄氮化硅层、布置在所述渐变薄氮化硅层上的第三氧化硅层、以及布置在所述第三氧化硅层上的多晶硅控制栅层。渐变薄氮化硅层TN中氮化硅的Si/N比例是逐渐增加的，其中越靠近第二氧化硅层，氮化硅的氮含量越高，并且越靠近第三氧化硅层，氮化硅的硅含量越高。 | ||
| 申请公布号 | CN102683398A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201210170390.8 | 申请日期 | 2012.05.28 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 田志 |
| 分类号 | H01L29/51(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/51(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种SONOS栅极结构，其特征在于包括：布置在衬底上的第一隧穿氧化层、布置在所述第一隧穿氧化层上的电荷存储氮化硅层、布置在所述电荷存储氮化硅层上的第二氧化硅层、布置在所述第二氧化硅层上的Si/N含量渐变的渐变薄氮化硅层、布置在所述渐变薄氮化硅层上的第三氧化硅层、以及布置在所述第三氧化硅层上的多晶硅控制栅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||