发明名称 |
一种高荧光性能的四元ZnCuInS<sub>3</sub>量子点的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种高荧光性能的四元ZnCuInS3的制备方法。首先制备Zn2+、Cu+、In3+阳离子前体溶液,在氩气保护下,将其从室温快速升温至180~240℃,快速注入S前体溶液,反应15~30min,移去热源自然冷却至室温,离心纯化即得到四元ZnCuInS3量子点。所得的四元ZnCuInS3量子点荧光性能好,其荧光发射峰位的范围为645~825nm,荧光量子产率为55~64%。本发明采用无毒廉价的前体原料,利用简单的热注射法,合成了一种不仅波长达825nm可近红外发光,而且荧光量子产率高达55~64%的高荧光性能的四元ZnCuInS3量子点,为量子点在活体生物成像中的应用打下了基础。 |
申请公布号 |
CN102676162A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210137687.4 |
申请日期 |
2012.05.04 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
常津;董春红;郭伟圣 |
分类号 |
C09K11/62(2006.01)I |
主分类号 |
C09K11/62(2006.01)I |
代理机构 |
天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 |
代理人 |
王丽 |
主权项 |
一种高荧光性能的四元ZnCuInS3量子点的制备方法,其特征在于步骤如下:1)制备含有Zn2+、Cu+、In3+的阳离子前体溶液和S前体溶液;2)在氩气保护下,将步骤1)的Zn2+、Cu+、In3+阳离子前体溶液快速升温至180~240℃迅速注入S前体溶液,反应15~30min后,移去热源自然冷却至室温;3)离心纯化即得到四元ZnCuInS3量子点。 |
地址 |
300072 天津市南开区卫津路92号天津大学 |