发明名称 一种高荧光性能的四元ZnCuInS<sub>3</sub>量子点的制备方法
摘要 本发明涉及一种高荧光性能的四元ZnCuInS3的制备方法。首先制备Zn2+、Cu+、In3+阳离子前体溶液,在氩气保护下,将其从室温快速升温至180~240℃,快速注入S前体溶液,反应15~30min,移去热源自然冷却至室温,离心纯化即得到四元ZnCuInS3量子点。所得的四元ZnCuInS3量子点荧光性能好,其荧光发射峰位的范围为645~825nm,荧光量子产率为55~64%。本发明采用无毒廉价的前体原料,利用简单的热注射法,合成了一种不仅波长达825nm可近红外发光,而且荧光量子产率高达55~64%的高荧光性能的四元ZnCuInS3量子点,为量子点在活体生物成像中的应用打下了基础。
申请公布号 CN102676162A 申请公布日期 2012.09.19
申请号 CN201210137687.4 申请日期 2012.05.04
申请人 天津大学 发明人 常津;董春红;郭伟圣
分类号 C09K11/62(2006.01)I 主分类号 C09K11/62(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 王丽
主权项 一种高荧光性能的四元ZnCuInS3量子点的制备方法,其特征在于步骤如下:1)制备含有Zn2+、Cu+、In3+的阳离子前体溶液和S前体溶液;2)在氩气保护下,将步骤1)的Zn2+、Cu+、In3+阳离子前体溶液快速升温至180~240℃迅速注入S前体溶液,反应15~30min后,移去热源自然冷却至室温;3)离心纯化即得到四元ZnCuInS3量子点。
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