发明名称 |
显示设备及其薄膜晶体管结构 |
摘要 |
一种薄膜晶体管结构包括基底、闸极层、闸极绝缘层、第一半导体岛、第二半导体岛与源极/汲极层。闸极层设置于基底上,具有第一闸极与第二闸极,且第一闸极与第二闸极电性连接。闸极绝缘层设置于基底上,且覆盖闸极层。第一半导体岛设置于闸极绝缘层上,且位于第一闸极的上方。第二半导体岛设置于闸极绝缘层上,且位于第二闸极的上方。源极/汲极层设置于第一半导体岛及第二半导体岛上。本发明还提供一种采用上述薄膜晶体管结构的显示设备。 |
申请公布号 |
CN102683420A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210034231.5 |
申请日期 |
2012.02.15 |
申请人 |
元太科技工业股份有限公司 |
发明人 |
陈超荣;江怡萱 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
上海波拓知识产权代理有限公司 31264 |
代理人 |
杨波 |
主权项 |
一种薄膜晶体管结构,其包括基底、闸极层、闸极绝缘层、以及源极/汲极层,该闸极层设置于该基底上,具有一第一闸极与一第二闸极,该第一闸极与该第二闸极电性连接,该闸极绝缘层设置于该基底上,且覆盖该闸极层,其特征在于:该薄膜晶体管结构还包括第一半导体岛以及第二半导体岛,该第一半导体岛设置于该闸极绝缘层上,位于该第一闸极的上方,该第二半导体岛设置于该闸极绝缘层上,位于该第二闸极的上方,该源极/汲极层设置于该第一半导体岛及该第二半导体岛上。 |
地址 |
中国台湾新竹市科学工业园区力行一路3号 |