发明名称 |
带反射层的EUV光刻用衬底、EUV光刻用反射型掩模坯料、EUV光刻用反射型掩模、和该带反射层的衬底的制造方法 |
摘要 |
本发明提供抑制了由自钌(Ru)保护层的氧化导致的反射率降低的EUV掩模坯料、和该EUV掩模坯料的制造中使用的带反射层的衬底、以及该带反射层的衬底的制造方法。一种带反射层的EUV光刻用衬底,其特征在于,其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层,前述反射层为Mo/Si多层反射膜,前述保护层为Ru层或Ru化合物层,在前述反射层与前述保护层之间形成有含有0.5~25at%的氮且含有75~99.5at%的Si的中间层。 |
申请公布号 |
CN102687071A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201080056266.8 |
申请日期 |
2010.12.09 |
申请人 |
旭硝子株式会社 |
发明人 |
三上正树;驹木根光彦;生田顺亮 |
分类号 |
G03F1/24(2012.01)I;G03F1/54(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G02B5/08(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/24(2012.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种带反射层的EUV光刻用衬底,其特征在于,其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层,所述反射层为Mo/Si多层反射膜,所述保护层为Ru层或Ru化合物层,在所述反射层与所述保护层之间形成有含有0.5~25at%的氮且含有75~99.5at%的Si的中间层。 |
地址 |
日本东京都 |