发明名称 |
显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法 |
摘要 |
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法。该薄膜晶体管包括栅极、有源层以及位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层,有源层为氧化物半导体,栅极绝缘层包括至少一层无机绝缘薄膜。本发明提供的显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法,该薄膜晶体管中的栅极绝缘层通过退火工艺、或分层结构结合退火工艺、或分层结构可最大程度的减少栅极绝缘层中含氢的基团,可有效避免含氢基团对氧化物半导体的影响,最大程度地提高整个TFT器件的稳定性,提高最终产品的良率。 |
申请公布号 |
CN102683424A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210141511.6 |
申请日期 |
2012.05.08 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
袁广才;李禹奉 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
韩国胜 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,包括栅极、有源层以及位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层,其特征在于,所述有源层为氧化物半导体,所述栅极绝缘层包括至少一层无机绝缘薄膜。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |