| 发明名称 | 氧化物薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种氧化物薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示领域，能够有效阻挡H+浸入活化层，使薄膜晶体管性能稳定。本发明实施例的氧化物薄膜晶体管，包括衬底以及依次设置在所述衬底上的栅电极和栅极绝缘层，其特征在于，所述栅极绝缘层上设有活化层，所述活化层上覆盖有阻挡层，所述阻挡层至少包括第一阻挡层和第二阻挡层。 | ||
| 申请公布号 | CN102683422A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201210138023.X | 申请日期 | 2012.05.04 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 成军;李禹奉 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种氧化物薄膜晶体管，包括衬底以及依次设置在所述衬底上的栅电极和栅极绝缘层，其特征在于，所述栅极绝缘层上设有活化层，所述活化层上覆盖有阻挡层，所述阻挡层至少包括第一阻挡层和第二阻挡层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||