发明名称 | 具有MOSFET和IGBT的电路布置 | ||
摘要 | 本发明涉及具有MOSFET和IGBT的电路布置。一种电路包括至少一个FET和至少一个IGBT,它们的负载路径并联连接。限压电路耦合到至少一个IGBT的栅极端子。 | ||
申请公布号 | CN102684661A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
申请号 | CN201210068118.9 | 申请日期 | 2012.03.15 |
申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | G.德博伊;W.勒斯勒 |
分类号 | H03K17/567(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/567(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;卢江 |
主权项 | 一种电路,包括:输入端子和输出端子;至少一个FET,具有栅极端子和漏极‑源极路径,所述漏极‑源极路径耦合在所述输入端子和所述输出端子之间;至少一个IGBT,具有栅极端子和集电极‑发射极路径,所述集电极‑发射极路径耦合在所述输入端子和所述输出端子之间;限压电路,耦合到所述至少一个IGBT的栅极端子并且被配置为当跨越所述集电极‑发射极路径的电压达到阈值电压时将所述至少一个IGBT驱动到接通状态;以及控制电路,具有耦合到所述至少一个FET的栅极端子的第一驱动输出。 | ||
地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |