发明名称 |
KPTA生产中的深度氧化方法及深度氧化装置 |
摘要 |
本发明涉及一种KPTA生产中的深度氧化方法及深度氧化装置,所述方法包括如下步骤:(1)氧化,催化条件下在溶剂HAC中用氧气氧化PX;(2)深度氧化,将步骤(1)氧化得到的浆料用氧气进一步深度氧化以提高TA含量;(3)结晶、分离,从步骤(2)得到的浆料中结晶、分离TA。所述系统包括氧化反应器、反应器出料桶、深度氧化反应器和结晶分离系统,所述氧化反应器的浆料出口连接出料桶的浆料进口,所述出料桶的浆料出口连接深度氧化反应器的浆料进口,所述深度氧化反应器的浆料出口连接所述结晶分离系统的浆料进口。本发明的方法既能保证产品质量,还降低了对设备的要求,其系统省去了搅拌设备,降低了设备投资,并有效降低了电能消耗。 |
申请公布号 |
CN102675090A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210149501.7 |
申请日期 |
2012.05.15 |
申请人 |
中国昆仑工程公司 |
发明人 |
周华堂;罗文德;姚瑞奎;汪英枝;李利军 |
分类号 |
C07C63/26(2006.01)I;C07C51/265(2006.01)I;C07C51/255(2006.01)I |
主分类号 |
C07C63/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京市卓华知识产权代理有限公司 11299 |
代理人 |
陈子英 |
主权项 |
一种KPTA生产中的深度氧化方法,包括如下步骤:(1)氧化后氧化:将氧化反应器排出的浆料从出料桶的中部送入所述出料桶,将含氧气体(例如压缩空气与深度氧化尾气)从所述出料桶的下部进入,使所述含氧气体从所述出料桶的底部鼓泡搅混浆料,以促使所述浆料中的固体悬浮物在含氧气体的搅混下不沉淀,所述浆料中包括PT酸和4‑CBA在内的氧化中间产物在所述出料桶中与氧继续进行后氧化反应;(2)深度氧化:将所述出料桶的底部浆料从所述出料桶底部的浆料出口排出,经过加压加温后送入深度氧化反应器,将含氧气体从所述深度氧化反应器的下部送入所述深度氧化反应器,使所述含氧气体从所述深度氧化反应器的底部鼓泡搅混浆料,以促使所述浆料中的固体悬浮物在含氧气体的搅混下不沉淀,所述浆料中包括PT酸和4‑CBA在内的氧化中间产物在所述深度氧化反应器中与氧继续进行氧化,所述深度氧化反应器在压力控制下排出深度氧化尾气,在液位控制下排出深度氧化反应完成后的浆料。 |
地址 |
100037 北京市海淀区增光路21号 |