嵌入式硅纳米晶SONOS器件制造方法

摘要

本发明公开了一种嵌入式硅纳米晶SONOS器件制造方法，包括：在衬底上欲形成栅极的区域形成第一氧化层并进行第一次退火工艺；在第一氧化层上形成氮化硅层，氮化硅层中嵌有硅纳米晶；在氮化硅层上形成第二氧化层并进行第二次退火工艺；在第二氧化层上形成一硅层作为控制栅。本发明在形成第一氧化层后进行第一次退火工艺，使得衬底与第一氧化层界面处的界面态密度减小；在所述氮化硅层上形成第二氧化层进行第二次退火工艺，能够进一步改善衬底与第一氧化层的界面态，还可以改善硅纳米晶和氮化硅的界面，使纳米晶与氮化硅的界面在编译和擦除过程中不易保留电荷，从而提高嵌入式纳米晶SONOS器件的可靠性。

主权项

一种嵌入式硅纳米晶SONOS器件制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上欲形成栅极的区域形成第一氧化层，并进行第一次退火工艺；在所述第一氧化层上形成氮化硅层，所述氮化硅层中嵌有硅纳米晶；在所述氮化硅层上形成第二氧化层，并进行第二次退火工艺；在所述第二氧化层上形成一硅层作为控制栅。