发明名称 | 一种制备有机场效应晶体管结构的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种制备有机场效应晶体管结构的方法,包括:在绝缘衬底上制备图形化的栅电极层;在栅电极层上沉积栅介质层;在栅介质层表面上制备图形化的源漏金属电极;将制备有图形化源漏金属电极的样品浸泡到表面修饰溶液中,对样品表面进行修饰;在修饰好的样品表面沉积有机半导体薄膜,完成器件的制备。本发明能够在金属电极表面和栅介质层表面同时自组织生长一层单分子层薄膜,改进器件的接触界面和沟道界面,从而制备出高迁移率的器件。 | ||
申请公布号 | CN102683591A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
申请号 | CN201110057488.8 | 申请日期 | 2011.03.10 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 商立伟;姬濯宇;刘明 |
分类号 | H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 一种制备有机场效应晶体管结构的方法,其特征在于,该方法包括:在绝缘衬底上制备图形化的栅电极层;在栅电极层上沉积栅介质层;在栅介质层表面上制备图形化的源漏金属电极;将制备有图形化源漏金属电极的样品浸泡到表面修饰溶液中,对样品表面进行修饰;在修饰好的样品表面沉积有机半导体薄膜,完成器件的制备。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |