| 发明名称 | 一种有机场效应晶体管结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种有机场效应晶体管结构，包括绝缘衬底、栅电极、栅介质层、有机半导体层、源电极和漏电极，其中所述栅电极、栅介质层、有机半导体层、源电极和漏电极均位于所述绝缘衬底之上，并处于同一平面。本发明同时公开了一种制备有机场效应晶体管结构的方法。利用本发明，栅电极、源电极、漏电极、栅介质层和有机半导体层处于同一平面，通过将电极设计到同一平面上，避免了高分辨率电极制备过程中对有机半导体的损伤，从而能有效提高器件的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN102683589A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201110058194.7 | 申请日期 | 2011.03.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 商立伟;姬濯宇;其他发明人请求不公开姓名 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种有机场效应晶体管结构，其特征在于，该结构包括绝缘衬底、栅电极、栅介质层、有机半导体层、源电极和漏电极，其中所述栅电极、栅介质层、有机半导体层、源电极和漏电极均位于所述绝缘衬底之上，并处于同一平面。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||