发明名称 |
使用GaN LED芯片的发光器件 |
摘要 |
一种发光器件通过倒装芯片安装下列(a)的GaN基LED芯片100来构成:(a)GaN基LED芯片100,包括透光衬底101以及在透光衬底101上形成的GaN基半导体层L,其中,GaN基半导体层L具有从透光衬底101侧开始依次包含n型层102、发光层103和p型层104的层叠结构,其中正电极E101在p型层104上形成,所述电极E101包含氧化物半导体的透光电极E101a以及与透光电极电连接的正接触电极E101b,以及正接触电极E101b的面积小于p型层104的上表面的面积的1/2。 |
申请公布号 |
CN102683565A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210162517.1 |
申请日期 |
2007.10.05 |
申请人 |
三菱化学株式会社 |
发明人 |
城市隆秀;冈川广明;平冈晋;岛敏彦;谷口浩一 |
分类号 |
H01L33/62(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/62(2010.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
臧霁晨;朱海煜 |
主权项 |
一种发光器件,其中下列(a)的GaN基LED芯片是倒装芯片安装的:(a)GaN基LED芯片,包括透光衬底以及在所述透光衬底上形成的GaN基半导体层,所述GaN基半导体层具有从所述透光衬底侧开始依次包括n型层、发光层和p型层的层叠结构,其中,正电极在所述p型层上形成,所述电极包括由氧化物半导体组成的透光电极,以及与所述透光电极电连接的正接触电极,以及所述正接触电极的面积小于所述p型层的上表面的面积的1/2。 |
地址 |
日本东京都 |