发明名称 |
具有冗余电路的存储器以及为存储器提供冗余电路的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种具有冗余电路的存储器以及为存储器提供冗余电路的方法。根据本发明的具有冗余电路的存储器装置包括:多个存储区以及冗余电路;其中,所述多个存储区的每一个都被均等地划分成多个次级存储区,并且其中,单条位线所选择的所有存储单元位于同一个次级存储区中;其中,所述冗余电路具有尺寸等于次级存储区的冗余替换存储单元,所述冗余替换存储单元用于在出现有缺陷的位线时替换位线所选择的存储单元所在的次级存储区。 |
申请公布号 |
CN102682854A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210142949.6 |
申请日期 |
2012.05.09 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
杨光军;胡剑 |
分类号 |
G11C29/24(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/24(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种具有冗余电路的存储器装置,其特征在于包括:多个存储区以及冗余电路;其中,所述多个存储区的每一个都被均等地划分成多个次级存储区,并且其中,单条位线所选择的所有存储单元位于同一个次级存储区中;其中,所述冗余电路具有尺寸等于次级存储区的冗余替换存储单元,所述冗余替换存储单元用于在出现有缺陷的位线时替换位线所选择的存储单元所在的次级存储区。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 |