| 发明名称 | 一种平面型场控功率器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种平面型场控功率器件的制造方法，它包括下列步骤：在一基材上热氧化二氧化硅作为栅氧化层，然后低压化学气相淀积多晶硅，并对多晶硅进行光刻形成多晶栅极；在所述多晶栅极的边缘形成边墙；以所述多晶栅极和边墙做掩蔽，在所述基材上注入硼后退火、推进形成P-阱区；去除所述边墙；在所述P-阱区中光刻预定的区域，并注入磷后退火、推进形成N+源区。本发明能在不影响沟道长度以及器件的开启电压和导通电阻的情况下，提高N+源区下方P-阱区的浓度，从而有效提高平面型场控功率器件的抗雪崩击穿能力。 | ||
| 申请公布号 | CN102142375B | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201010611776.9 | 申请日期 | 2010.12.29 |
| 申请人 | 上海贝岭股份有限公司 | 发明人 | 陈伟 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 | 代理人 | 章蔚强 |
| 主权项 | 一种平面型场控功率器件的制造方法，它包括下列步骤：步骤S1，在一基材上热氧化二氧化硅作为栅氧化层，然后低压化学气相淀积多晶硅，并对多晶硅进行光刻形成多晶栅极；步骤S12，在所述多晶栅极的边缘形成边墙；步骤S2，以所述多晶栅极和边墙做掩蔽，在所述基材N‑外延注入硼后退火、推进形成P‑阱区；步骤S23，去除所述边墙；步骤S3，在所述P‑阱区中光刻预定的区域，并注入磷后退火、推进形成N+源区；步骤S4，以所述多晶栅极做掩蔽，在P‑阱区注入硼后退火、推进形成P+接触区；步骤S5，淀积磷硅玻璃做隔离介质。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区宜山路810号 | ||