| 发明名称 | 发光二极管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面依次沉积n型GaN层、多量子阱叠层和p型GaN层；降低生长温度，开始生长粗化层；关闭镓源，升高温度至p型GaN外延层生长温度以上，再结晶形成晶体状粗化层；完成后续LED生长及芯片工序。本发明的方法采用了在外延过程中改变生长条件的原位粗化方式，简化了工续，并辅以高温再结晶工艺，使粗化层的晶体缺陷及损伤减少。 | ||
| 申请公布号 | CN102683521A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201210179079.X | 申请日期 | 2012.06.04 |
| 申请人 | 泉州市博泰半导体科技有限公司 | 发明人 | 林朝晖;蒋伟 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种发光二极管的制造方法，包括：A、提供衬底；B、在所述衬底表面依次沉积n型GaN层、多量子阱叠层和p型GaN层；C、降低生长温度，开始生长粗化层；D、关闭镓源，升高温度至p型GaN外延层生长温度以上，再结晶形成晶体状粗化层；E、完成后续LED生长及芯片工序。 | ||
| 地址 | 362000 福建省泉州市鲤城区南环路1303号江南高新科技园区 | ||