用于自旋转移力矩磁阻随机存取存储器中的读取和写入的字线晶体管强度控制

摘要

本发明揭示用于在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)中控制字线晶体管处的字线电压的系统、电路和方法。可将第一电压供应到所述字线晶体管以用于写入操作。可在读取操作期间将小于所述第一电压的第二电压供应到所述字线晶体管。

主权项

一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT‑MRAM，其包括：位单元，其具有串联耦合的磁性隧道结MTJ和字线晶体管，其中所述位单元耦合到位线和源极线；以及字线驱动器，其耦合到所述字线晶体管的栅极，其中所述字线驱动器经配置以为写入操作提供第一电压且在读取操作期间提供第二电压，且其中所述第一电压高于所述第二电压。