| 发明名称 | 后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法，在芯片本体（1-1）正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2）；在芯片本体、芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3）；在芯片本体、芯片源电极、芯片栅电极和芯片表面保护层的表面设置有正面线路层（4）；在正面线路层和芯片表面保护层表面设置有线路表面保护层（5）；在正面线路层表面设置有焊球（7）；在芯片本体正面和背面贯穿有芯片通孔（1-2）；在所述芯片本体背面设置有线路层（6），以及在芯片通孔内填充有线路层（6），且填充于芯片通孔的线路层与芯片通孔侧壁直接接触、以及与正面线路层形成互联。本发明具有高性能的封装结构，以及实现这种结构具有高生产效率、低封装成本的工艺方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102122671B | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201110033785.9 | 申请日期 | 2011.01.31 |
| 申请人 | 江阴长电先进封装有限公司 | 发明人 | 陈栋;胡正勋;张黎;陈锦辉;赖志明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人 | 唐纫兰 |
| 主权项 | 一种后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构的实现方法，所述封装结构包括芯片本体（1‑1），其特征在于：在所述芯片本体（1‑1）正面设置有芯片源电极（2‑1）和芯片栅电极（2‑2）；在芯片本体（1‑1）、芯片源电极（2‑1）和芯片栅电极（2‑2）正面设置有芯片表面保护层（3）；在芯片本体（1‑1）、芯片源电极（2‑1）、芯片栅电极（2‑2）和芯片表面保护层（3）的表面设置有正面线路层（4）；在正面线路层（4）和芯片表面保护层（3）表面设置有线路表面保护层（5）；在正面线路层（4）表面设置有焊球（7）；在芯片本体（1‑1）正面和背面贯穿有芯片通孔（1‑2）；在芯片本体（1‑1）背面设置有线路层（6），以及在芯片通孔（1‑2）内填充有线路层（6），且填充于芯片通孔（1‑2）的线路层（6）与芯片通孔（1‑2）侧壁直接接触、以及与正面线路层（4）形成互联；所述封装过程的起点为带有芯片源电极、芯片栅电极和芯片表面保护层的晶圆，通过下列过程得到封装后的MOSFET芯片：1）、通过光刻、溅射、电镀、光刻胶剥离以及金属刻蚀工艺，形成正面线路层；2）、通过光刻工艺形成线路表面保护层；3）、通过减薄、光刻、硅刻蚀以及光刻胶剥离工艺，形成芯片通孔；4）、通过金属淀积工艺，形成线路层；5）、通过印刷焊料或电镀焊料或植放焊球、然后回流的方法形成焊球；6）、通过晶圆切割分离的方法形成单颗MSOFET封装芯片。 | ||
| 地址 | 214434 江苏省无锡市江阴市开发区滨江中路275号 | ||