基于碲化锑复合相变材料的相变存储装置及其制备方法

摘要

一种计算机技术领域的基于碲化锑复合相变材料的相变存储装置及其制备方法，装置包括：基板、下电极、热发生电极层、绝缘层、相变材料层和上电极，其中：所述的相变材料层是包括碲化锑和氮化硅的复合相变材料层；所述的氮化硅的原子百分比含量范围为：0.5-30；所述的相变材料层中Sb原子和Te原子的比例范围为80/20-30/70。本发明中相变存储装置使用了高结晶速度并且发热效率更高的复合相变材料层，可以提高相变存储装置的操作速度，降低相变存储装置的RESET操作电流。

主权项

一种基于碲化锑复合相变材料的相变存储装置，包括：基板、下电极、热发生电极层、绝缘层、相变材料层和上电极，其特征在于，下电极设置在基板上，热发生电极层设置在下电极上，绝缘层设置在热发生电极层上，绝缘层内设置有一个直径为8微米的细孔，相变材料层填充在绝缘层的细孔内且与热发生电极层接触，上电极设置在相变材料层上；所述的相变材料层是包括碲化锑和氮化硅的复合相变材料层；所述的氮化硅的原子百分比含量范围为： 2、5或者25；所述的相变材料层中Sb原子和Te原子的比例范围为80/20或40/60。