| 发明名称 | 具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜的成份符合化学式Zn1-x-yCrxGayO，其中0 ≤x≤0.03，0≤y≤0.03。掺杂Cr和/或镓的ZnO基稀磁半导体薄膜具有室温铁磁性，而且具有在较大范围内可调的电阻率，以及在较大范围内可调的电子浓度，可为自旋电子器件的研究和应用提供良好的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN102676994A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201210185344.5 | 申请日期 | 2012.06.07 |
| 申请人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 熊泽;刘学超;卓世异;孔海宽;杨建华;施尔畏 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜，其成份符合化学式Zn1‑x‑yCrxGayO，其中0 ≤ x ≤ 0.03，0 ≤ y ≤ 0.03。 | ||
| 地址 | 201800 上海市嘉定区城北路215号 | ||