| 发明名称 | 用于在半导体构件上构造氧化物层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于在半导体构件上构造氧化物层的方法。在用于通过平面式气相处理在基于硅的片状半导体构件上构造氧化物层的方法中，为了提高用以在由硅制成的半导体构件上构造氧化物层的产能，而又不产生与氧化物层相关的缺点，而提出：半导体构件以很大量彼此碰触式相叠而置地堆叠并且经受气相处理，其中，为了构造氧化物层，布置于堆叠中的半导体构件经受如下的气体气氛，所述气体气氛包含至少一种选自至少50％份额的水蒸气、O2的组的气体。 | ||
| 申请公布号 | CN102683171A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201210061869.8 | 申请日期 | 2012.02.28 |
| 申请人 | 肖特太阳能控股公司 | 发明人 | 卡斯帕·布罗伊尔;米哈伊尔·马诺莱 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 杨靖;车文 |
| 主权项 | 用于通过平面式气相处理在基于硅的片状半导体构件上构造氧化物层的方法，其特征在于，所述半导体构件以很大量彼此碰触式相叠而置的方式堆叠，并且然后执行所述气相处理，其中，为了构造所述氧化物层，布置于堆叠中的所述半导体构件经受如下的气体气氛，所述气体气氛包含至少一种选自至少50％份额的水蒸气、O2的组的气体。 | ||
| 地址 | 德国美因茨 | ||