穿硅通孔结构及其形成方法

摘要

一种穿硅通孔结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相对的上表面和下表面；对所述半导体衬底的上表面进行刻蚀，形成开口；在所述开口中填充导电材料，形成第一连接钉；对所述半导体衬底的下表面进行刻蚀，形成凹槽，所述凹槽底部暴露出所述第一连接钉；在所述凹槽中填充可刻蚀的导电材料，并对所述可刻蚀的导电材料进行刻蚀，形成第二连接钉，所述第二连接钉与所述第一连接钉上下相接；在所述第二连接钉与所述半导体衬底之间的空隙以及相邻的第二连接钉之间的空隙中填充介质层。本发明有利于提高穿硅通孔结构的可靠性，避免空洞缺陷。

主权项

一种穿硅通孔结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有凹槽，所述凹槽中填充有介质层；贯穿所述半导体衬底和所述介质层的连接钉，所述连接钉包括上下相接的第一连接钉和第二连接钉，所述第一连接钉内嵌于所述半导体衬底中，所述第二连接钉内嵌于所述介质层中，所述第二连接钉的材料为可刻蚀的导电材料。