发明名称 |
多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法 |
摘要 |
本发明提供一种多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法,可以快速计算任意平面波入射时的近场分布。步骤1、将掩模分区构造对应的二维平面,并离散化;步骤2、求解四个光栅区的托普勒兹Toeplitz矩阵;步骤3、求解矩阵对角矩阵Kx、Ky及入射区矩阵YI、ZI;步骤4、求解每层光栅的特征矩阵;步骤5、利用增强透射矩阵法,求解第四层光栅中的常数矩阵;步骤6、求解第四层光栅中各个衍射级次的电磁场振幅;步骤7、求解掩模近场的复振幅分布及光强分布。 |
申请公布号 |
CN102681333A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210166477.8 |
申请日期 |
2012.05.25 |
申请人 |
北京理工大学 |
发明人 |
李艳秋;杨亮 |
分类号 |
G03F1/30(2012.01)I;G06F17/16(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/30(2012.01)I |
代理机构 |
北京理工大学专利中心 11120 |
代理人 |
张利萍;高燕燕 |
主权项 |
多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、将掩模分区构造对应的二维平面,并离散化:首先将掩模分解为六个区域,其中包含四个光栅层,每一层为交替排列的两种材料,然后构造对应的二维平面,最后将这四个二维平面进行离散化;第四层是电介质,且周期是前两层的二倍;步骤2、求解四个光栅区的托普勒兹Toeplitz矩阵:首先对四个光栅区的介电常数、介电常数倒数进行Fourier级数展开,然后在进行求解四个光栅区的Toeplitz矩阵;步骤3、求解分别由各衍射级次波矢量沿x轴分量、沿y轴分量组成的对角矩阵Kx、Ky,及各衍射级次波矢量沿z轴分量组成的对角矩阵YI、ZI:首先根据布洛开(Floquet)条件,求解第i个衍射级次的波矢量沿着切向、法向的分量,其中i为(‑∞,+∞)之间的整数;然后求解矩阵Kx、Ky,最后求解矩阵YI、ZI;步骤4、求解每层光栅的特征矩阵;步骤5、利用增强透射矩阵法,求解第四层光栅中的常数矩阵;步骤6、求解第四层光栅中各个衍射级次的电磁场振幅;步骤7、求解掩模近场的复振幅分布及光强分布。 |
地址 |
100081 北京市海淀区中关村南大街5号 |