通过合金键合在背栅接负电压的SOI/MOS器件结构及制造方法

摘要

本发明涉及在背栅接负电压的SOI/MOS器件结构及制造方法，通过将部分耗尽型SOI/MOS器件背部衬底引出，外接负电压，从而改善辐射条件下部分耗尽型SOI/MOS器件的背栅效应。本发明的优点是：此方法不但解决了SOI/MOS器件背部衬底电压不确定的问题，而且在器件制造的过程中不需要对背栅进行额外的工艺加固，简化了工艺步骤。背栅接负压，能够提高部分耗尽型SOI/MOS电路的抗总剂量能力，且对表面其它电路的性能无影响。

主权项

通过合金键合在背栅接负电压的SOI/MOS器件结构，其特征是，包括：二氧化硅埋氧化层（2）位于背部硅衬底（1）上，二氧化硅埋氧化层（2）上设有硅体区（3）、MOS器件的单晶硅源/漏区域（5）、二氧化硅隔离的场区（4），MOS器件的单晶硅源/漏区域（5）位于硅体区（3）的周围，二氧化硅隔离的场区（4）位于MOS器件的单晶硅源/漏区域（5）周围；在硅体区（3）上覆盖有MOS器件的二氧化硅栅介质层（6），所述MOS器件的二氧化硅栅介质层（6）上覆盖有MOS器件的多晶硅栅（7），在MOS器件的单晶硅源/漏区域（5）和MOS器件的多晶硅栅（7）上设有钨合金通孔（9），所述钨合金通孔（9）将MOS器件的有源区与铝金属互连线（8）连接；在MOS器件表面覆盖二氧化硅钝化层（10），在所述背部硅衬底（1）的背部具有合金键合形成的合金接触层（11），接触层（11）通过铝金属互连线（8）与外部提供的负电压相连，为背部硅衬底提供有效的电压。