发明名称 一种高选择性二氧化锡/碳纳米管气敏传感器件的制作方法
摘要 本发明提供一种高选择性二氧化锡/碳纳米管气敏传感器件的制作方法,该方法采用Al2O3作为模板,由于模板上孔的大小结构均匀,将其浸渍在一定浓度的氯化锡溶液中,氯化锡将均匀的分布到氧化铝的表面,通过煅烧将氯化锡氧化为气敏材料氧化锡。然后,通过乙炔气体热解的方法,利用Al2O3模板的孔道结构限制其生长,最终使碳附着。将氧化铝在氢氧化钠溶液中去除后便得到了碳纳米管/二氧化锡复合材料。将合成的材料制备成传感器,和市场上的传感器进行气敏性能的比较,该材料对甲烷气体的灵敏度和选择性大大增强。本发明具有工艺简单,操作方便,且成本低廉的优点,具有广泛的工业应用前景。
申请公布号 CN102680537A 申请公布日期 2012.09.19
申请号 CN201110059434.5 申请日期 2011.03.11
申请人 雷振东 发明人 雷振东
分类号 G01N27/12(2006.01)I 主分类号 G01N27/12(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种高选择性二氧化锡/碳纳米管气敏传感器件的制作方法,其特征在于该方法包含以下步骤:a.首先称取一定量的Al2O3模板,并将其在马弗炉中在高温下进行预处理,其进行活化。与此同时,称取相应量的SnCl4·9H2O,并将其溶于蒸馏水中,并加入适量的盐酸以防止SnCl4的水解,在磁力搅拌器上进行搅拌;b.将预处理好的氧化铝模板加入到上述的溶液中,并进行抽真空的处理,以达到SnCl4浸入到氧化铝模板的孔道中的效果,并将铝模板取出,进行干燥,SnCl4的颗粒将均匀的分布在氧化铝模板的孔道内部;c.将上述的材料置于马弗炉中,在600℃下进行煅烧处理,将SnCl4氧化为气敏材料SnO2;d.将上述获取的材料置于化学气相沉积管式炉中,先通入乙炔气体5分钟,以将管中的空气等气体驱逐。然后进行在通气的过程中加热,加热温度为800℃,乙炔气体在此过程中会进入氧化铝模板的孔道,并在无氧高温加热的条件下分解,形成的碳会附着在孔道内表面,形成管状结构的碳纳米管,且上一步得到的二氧化锡会镶嵌在碳纳米管的内壁上。e.将上述材料至于0.5mol/L的氢氧化钠溶液中,在磁力搅拌器上搅拌6h以达到完全去除氧化铝模板的作用;f.将上述的溶液过滤、烘干即可得到碳纳米管/二氧化锡复合材料;g.将上面制备的材料采用通常的厚膜传感器制备方法,制备成气体传感器,应用于甲烷气体检测。
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