| 发明名称 | 一种在太阳能电池阴极基底上形成光吸收层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种在太阳能电池阴极基底上形成光吸收层的方法，包括以下步骤：1）在太阳能电池阴极基底上形成金属预置层，所述金属预置层为CuIn、CuGa或CuInGa；2）惰性气氛下将Se和/或S熔融，形成熔融液；3）将形成有金属预置层的太阳能电池阴极基底浸入熔融液中，进行硒化和/或硫化反应，反应完成后即在太阳能电池阴极基底上形成所述光吸收层。本发明提供的方法通过将金属预置层与熔融的Se和/或S接触，提高硒化和/或硫化的转化率；另外，该方法无需在真空下进行，对设备要求低，操作简单，成本也相对较低，适于工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN102683473A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201110064198.6 | 申请日期 | 2011.03.17 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 钟北军;曹文玉;周勇 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种在太阳能电池阴极基底上形成光吸收层的方法，包括以下步骤：1）在太阳能电池阴极基底上形成金属预置层，所述金属预置层为CuIn、CuGa或CuInGa；2）惰性气氛下将Se和/或S熔融，形成熔融液；3）将形成有金属预置层的太阳能电池阴极基底浸入熔融液中，进行硒化和/或硫化反应，反应完成后即在太阳能电池阴极基底上形成所述光吸收层。 | ||
| 地址 | 518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号 | ||