发明名称 |
升压稳压器的启动电路和升压稳压器的启动方法 |
摘要 |
本发明提供一种启动升压稳压器的方法,该方法主要包含如下步骤:起始阶段,当升压稳压器开始工作时,通过开通的PMOS晶体管,将电池电压转换为输出电容上的电压,并将该电容上的电压增加至大约等于输入电压减去PMOS晶体管漏极与源极之间的电压降;第二阶段,内部的控制器控制所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管同步开通和关断;第三阶段,关断所述PMOS晶体管,开通所述NMOS晶体管,使所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管以非同步方式工作;以及,第四阶段,以固定频率开通和关断PMOS晶体管和NMOS晶体管,将输出电容上电压增至预定电压电平。采用本发明所提供的启动升压稳压器的方法,在电池即将用尽,电压降低时,仍能启动升压稳压器。 |
申请公布号 |
CN101102080B |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN200710041881.1 |
申请日期 |
2007.06.11 |
申请人 |
龙鼎微电子(上海)有限公司;上海龙茂微电子有限公司 |
发明人 |
王瑾;杨卫丽;胡黎强 |
分类号 |
H02M3/07(2006.01)I;H02M3/156(2006.01)I |
主分类号 |
H02M3/07(2006.01)I |
代理机构 |
上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 |
代理人 |
翟羽 |
主权项 |
一种启动升压稳压器的方法,所述升压稳压器包括用以接收输入电压的输入节点,用来输出输出电压的输出节点,耦接于所述输入节点和中间节点之间的电感,耦接于所述中间节点和地之间的N沟道金属‑氧化物‑半导体晶体管,耦接于所述中间节点和所述输出节点之间的P沟道金属‑氧化物‑半导体晶体管,耦接于所述输出节点和地之间的电容,以及介于所述中间节点和所述输出节点之间的控制电路,其特征在于:该方法主要包括如下步骤:起始阶段,当所述升压稳压器开始工作时,通过开通的所述P沟道金属‑氧化物‑半导体晶体管,将电池电压转换为电容上的电压,并将该电容上的电压增加至等于输入电压减去所述P沟道金属‑氧化物‑半导体晶体管源极与漏极之间的电压降的第一电压电平;第二阶段,控制电路控制所述P沟道金属‑氧化物‑半导体晶体管和所述N沟道金属‑氧化物‑半导体晶体管互补导通和关断;第三阶段,关断所述P沟道金属‑氧化物‑半导体晶体管,开通所述N沟道金属‑氧化物‑半导体晶体管,使所述P沟道金属‑氧化物‑半导体晶体管和所述N沟道金属‑氧化物‑半导体晶体管以非同步方式工作;以及,第四阶段,以固定频率开通和关断所述P沟道金属‑氧化物‑半导体晶体管和所述N沟道金属‑氧化物‑半导体晶体管,将所述电容上电压增至预定电压电平。 |
地址 |
200030 上海市徐汇区乐山路33号慧谷创业1号楼201室 |