| 发明名称 | 分布化学机械抛光方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种分步化学机械抛光(CMP)方法。该方法包括以下步骤：第一步，采用具有多晶硅去除速率大于或等于<img file="d2007800374633a00011.GIF" wi="250" he="54" />的化学机械抛光液去除大部分的多晶硅但不暴露多晶硅表面；第二步，在该抛光液中加入氧化剂后，对多晶硅表面以及随后暴露出来的多晶硅与二氧化硅表面进行抛光。该方法可避免表面碟形凹损缺陷，使晶片平坦度增高，使工艺更稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN101523562B | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN200780037463.3 | 申请日期 | 2007.11.12 |
| 申请人 | 安集微电子（上海）有限公司 | 发明人 | 俞昌;杨春晓;荆建芬 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | 一种分步化学机械抛光方法，其特征在于：第一步骤用具有多晶硅去除速率大于或等于200埃/min的化学机械抛光液进行抛光，第二步骤在该抛光液中加入氧化剂进行抛光，所述的氧化剂的加入量为重量百分比10～30％，其中，所述的抛光液包含至少一种研磨颗粒和水，所述的研磨颗粒选自下列五种中的一个或多个：二氧化铈，二氧化锆，碳化硅，聚四氟乙烯和聚苯乙烯。 | ||
| 地址 | 中国上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室 | ||