| 发明名称 | 基于锗的量子阱器件 | ||
| 摘要 | 一种量子阱晶体管具有锗量子阱沟道区。含硅的蚀刻停止层提供栅电介质接近沟道的容易放置。III-V族势垒层对沟道增加应变。沟道区之上和之下的缓变硅锗层改进了性能。多种栅电介质材料允许使用高k值栅电介质。 | ||
| 申请公布号 | CN102687273A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201080060555.5 | 申请日期 | 2010.12.09 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | R·皮尔拉瑞斯帝;B-Y·金;B·楚-昆古;M·V·梅茨;J·T·卡瓦利罗斯;M·拉多萨佛杰维科;R·科托尔亚;W·瑞驰梅迪;N·穆克赫吉;G·德威;R·乔 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/772(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张东梅 |
| 主权项 | 一种器件，包括：包括大带隙材料的下势垒区；在所述下势垒区上的包括锗的量子阱沟道区；在所述量子阱区上的包括大带隙材料的上势垒区；在所述量子阱沟道区上的间隔区；在所述间隔区上的蚀刻停止区，所述蚀刻停止区包括硅且基本上无锗；在所述蚀刻停止区上的栅电介质；在所述栅电介质上的栅电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||