| 发明名称 | 蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供在具有电极的半导体基板的再布线中使用的、能选择性蚀刻铜而不蚀刻镍的蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法。含有过氧化氢和柠檬酸、且过氧化氢的含量为0.75~12质量%、柠檬酸的含量为1~20质量%、且过氧化氢和柠檬酸的摩尔比在0.3~5的范围内的在半导体基板的再布线中使用的蚀刻液；含有过氧化氢和苹果酸、且过氧化氢的含量为0.75~12质量%、苹果酸的含量为1.5~25质量%、且过氧化氢和苹果酸的摩尔比在0.2~6的范围内的在半导体基板的再布线中使用的用于选择性蚀刻铜的蚀刻液、及使用这些蚀刻液的半导体装置的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102687251A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201080057354.X | 申请日期 | 2010.12.14 |
| 申请人 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 发明人 | 细见彰良;大前健祐 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01)I;C23F1/18(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/308(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种用于选择性蚀刻铜的蚀刻液,其在使用了具有电极的半导体基板的半导体装置的制造中使用，其含有过氧化氢和柠檬酸，过氧化氢的含量为0.75~12质量%，柠檬酸的含量为1~20质量%，且过氧化氢和柠檬酸的摩尔比在0.3~5的范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||