发明名称 逻辑电路和半导体装置
摘要 在时钟门控技术被执行的逻辑电路中,储用功率被降低或者故障被抑制。该逻辑电路包括晶体管,其中,在没有供给时钟信号的时段,当源极端子和漏极端子之间存在电势差时,该晶体管处于截止状态。该晶体管的沟道形成区是使用氧化物半导体形成,在该氧化物半导体中,氢浓度被降低。具体地,氧化物半导体的氢浓度为5×1019(原子/立方厘米)或更低。因此,可以减少晶体管的泄漏电流。结果,在该逻辑电路中,可以实现储用功率的减少以及故障的抑制。
申请公布号 CN102687400A 申请公布日期 2012.09.19
申请号 CN201080048602.4 申请日期 2010.10.06
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 盐野入丰;小林英智
分类号 H03K19/096(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H03K3/037(2006.01)I;H03K19/20(2006.01)I 主分类号 H03K19/096(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 秦晨
主权项 一种逻辑电路,含有第一时段和第二时段,其中,在所述第一时段,时钟信号被输入,而在所述第二时段,所述时钟信号没有被输入,该逻辑电路包括:晶体管,当在所述第二时段内源端子和漏端子之间存在电势差时,该晶体管处于截止状态,其中,所述晶体管的沟道形成区是使用氧化物半导体形成的,在所述氧化物半导体中,氢浓度为5×1019原子/立方厘米或更低。
地址 日本神奈川
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