| 发明名称 | 一种N型双面背接触太阳能电池的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种N型双面背接触太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在N型硅片的正面和背面进行制绒；(2)在硅片的背面进行扩磷，形成扩磷层；(3)在硅片上开孔；(4)对硅片的正面和孔内进行扩硼，形成扩硼层；(5)刻蚀周边结；去除硅片的杂质玻璃；(6)在硅片背面的孔的周围区域进行反型掺杂，形成反型掺杂层；(7)在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜；(8)在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；(9)在硅片背面设置隔断槽，使所述扩磷层和反型掺杂层处形成的PN结相互绝缘；即可得到N型双面背接触太阳能电池。本发明开发了一种N型双面背接触太阳能电池的制备方法，其制备工艺简单，易于操作，适于产业化应用。 | ||
| 申请公布号 | CN102683496A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201210166783.1 | 申请日期 | 2012.05.27 |
| 申请人 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 | 发明人 | 王栩生;章灵军 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 陶海锋;陆金星 |
| 主权项 | 一种N型双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 在N型硅片的正面和背面进行制绒；(2) 在硅片的背面进行扩磷，形成扩磷层；(3) 在硅片上开孔；(4) 在硅片的正面和孔内进行扩硼，形成扩硼层；(5) 刻蚀周边结；去除硅片的杂质玻璃；(6) 在硅片背面的孔的周围区域进行反型掺杂，形成反型掺杂层；(7) 在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜；(8) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；(9) 在硅片背面设置隔断槽，使所述扩磷层和反型掺杂层处形成的PN结相互绝缘；即可得到N型双面背接触太阳能电池。 | ||
| 地址 | 215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 | ||