发明名称 | 高集成高可靠工作温度可控薄膜混合集成电路 | ||
摘要 | 高集成高可靠工作温度可控薄膜混合集成电路,由器件管壳基座(1)、管脚(9)、陶瓷基片(2)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、薄膜阻带(5)、薄膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器(11)和绝缘介质(10)组成,陶瓷基片(2)正面是微型热电致冷器(11)与常规混合集成电路的一体化集成,包括薄膜阻带(5)、薄膜导带/键合区(6)、半导体芯片(3)以及微型元器件;N型半导体(7)、P型半导体(8)两端引有连接线,之间填充绝缘介质(10);陶瓷基片(2)背面置于器件管壳基座(1)之上,管脚(9)装在器件管壳基座(1)的两端。本集成电路可以解决外界温度在125℃以上或-55℃以下的正常工作问题。广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯等领域。 | ||
申请公布号 | CN202443971U | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
申请号 | CN201120556694.9 | 申请日期 | 2011.12.28 |
申请人 | 贵州振华风光半导体有限公司 | 发明人 | 杨成刚;苏贵东 |
分类号 | H01L27/13(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/13(2006.01)I |
代理机构 | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人 | 刘安宁 |
主权项 | 一种高集成高可靠工作温度可控薄膜混合集成电路,其特征在于该电路由器件管壳基座(1)、管脚(9)、陶瓷基片(2)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、薄膜阻带(5)、薄膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器(11)和绝缘介质(10)组成,陶瓷基片(2)正面是微型热电致冷器(11)与常规混合集成电路的一体化集成,包括薄膜阻带(5)、薄膜导带/键合区(6)、半导体芯片(3)、N型半导体(7)、P型半导体(8)和微型元器件;N型半导体(7)、P型半导体(8)的两端引出有连接线,之间填充有绝缘介质(10);陶瓷基片(2)背面通过金属膜置于器件管壳基座(1)之上,管脚(9)装在器件管壳基座(1)的两端。 | ||
地址 | 550018 贵州省贵阳市新添大道北段238号 |