用于沉积多层式层和/或梯度层的方法

摘要

本发明涉及一种用于在直列式等离子体涂覆设备中借助等离子体辅助的化学气相沉积将多层式层和/或梯度层沉积到至少一个基底上的方法，该直列式等离子体涂覆设备包括至少一个加工室，其中在基底的输送方向上依次安排了至少两个单独的等离子体源。本发明的目的是提供这样一种方法，通过该方法可以在单一的加工室中在至少一个基底上、在该基底输送穿过该加工室的过程中生产出多个处于层堆叠形式的不同层或者一个具有根据其厚度而变的特性的层。为此，根据这样一种方法，该至少两个等离子体源是以在不同的过程条件下以10kHz与2.45GHz之间的激发频率来工作的，这至少两个等离子体源中的至少一个是脉冲式的，并且该基底被连续地输送穿过这些单独的等离子体源的涂覆区域，至少一个限定的双层堆叠包括多个具有不同特性的单独层和/或沉积在该基底上的至少一个限定的梯度层。

主权项

一种用于在直列式等离子体涂覆设备中借助于等离子体增强的化学气相沉积将多层式层和/或梯度层沉积到至少一个基底（9）上的方法，该直列式等离子体涂覆设备包含至少一个加工室（1），其中在这些基底（9）的输送方向上依次安排了至少两个单独的等离子体源（2，4，5，6），其特征在于该至少两个等离子体源（2，4，5，6）是以不同的过程条件、在10kHz与2.45GHz之间的激发频率下来工作的，该至少两个等离子体源中的至少一个在此情况下是脉冲式的，并且该基底（9）被连续地输送穿过这些单独的等离子体源（2，4，5，6）的涂覆区域，其中在该基底（9）上沉积了至少一个限定的、两层的、具有这些单独层（21，22，23；31，32，33）的不同层特性的层堆叠和/或至少一个限定的梯度层。