| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，目的在于对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性并实现高可靠性。在包括氧化物半导体层的晶体管的制造工序中，在氧化硅膜上形成包括氧含量超过氧化物半导体处于结晶状态时的化学计量组成比的区域的非晶氧化物半导体层，在该非晶氧化物半导体层上形成氧化铝膜，然后进行加热处理来使该非晶氧化物半导体层的至少一部分晶化，从而形成包括具有大致垂直于表面的c轴的结晶的氧化物半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN102683197A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201210060002.0 | 申请日期 | 2012.03.09 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;佐藤裕平;佐藤惠司;丸山哲纪 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李渤 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成氧化硅膜；在所述氧化硅膜上形成非晶氧化物半导体层；在所述非晶氧化物半导体层上形成氧化铝膜；以及在形成所述氧化铝膜之后，对所述非晶氧化物半导体层进行加热处理，其中，所述非晶氧化物半导体层包括含有与结晶状态的氧化物半导体的化学计量组成比相比过剩的氧的区域。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||