一种晶硅异质结太阳电池的发射极结构

摘要

一种晶硅异质结太阳电池的发射极结构，它为双层梯度掺杂浓度的非晶硅薄膜（a-Si:H）构成的发射极结构，以重掺杂p-a-Si:H层/浅掺杂p-a-Si:H层或重掺杂n-a-Si:H层/浅掺杂n-a-Si:H层的复合结构作为a-Si:H/c-Si结构的晶硅异质结太阳电池的发射极，重掺杂层与导电层连接，浅掺杂层与晶体硅表面的本征a-Si:H层连接，当晶体硅为n-型，则发射极为：重掺杂p-a-Si:H层/浅掺杂p-a-Si:H层结构；当晶体硅为p-型，则发射极为：重掺杂n-a-Si:H层/浅掺杂n-a-Si:H层，本发明的双层结构可提高晶硅太阳电池的开路电压、短路电流，减少非晶硅层与导电层的接触势垒，提高太阳电池的转换效率。

主权项

一种晶硅异质结太阳电池的发射极结构，其特征在于：它为双层梯度掺杂浓度的非晶硅薄膜（a‑Si:H）构成的发射极结构，以重掺杂p‑a‑Si:H层/浅掺杂p‑a‑Si:H层或重掺杂n‑a‑Si:H层/浅掺杂n‑a‑Si:H层的复合结构作为a‑Si:H/c‑Si结构的晶硅异质结太阳电池的发射极，其中重掺杂层与导电层连接，浅掺杂层与晶体硅表面的本征a‑Si:H层连接，发射极的掺杂类型由晶体硅的掺杂类型决定：晶体硅为n‑型，则发射极为：重掺杂p‑a‑Si:H层/浅掺杂p‑a‑Si:H层结构；晶体硅为p‑型，则发射极为：重掺杂n‑a‑Si:H层/浅掺杂n‑a‑Si:H层。