| 发明名称 | 背接触硅太阳能电池的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种背接触硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅片的受光面进行制绒；(2)在硅片的受光面扩散制结；(3)去除杂质玻璃，然后在硅片受光面的PN结上设置减反射膜；(4)在硅片受光面内的PN结和背光面孔金属电极区域生长重掺杂层；(5)采用激光处理重掺杂层得到局部重掺杂发射极，同时采用激光在硅片上开孔；(6)在上述硅片上制备受光金属电极、孔金属电极和背光金属电极；(7)在背光面印刷背面电场，烧结，即可得到背接触硅太阳能电池。本发明成功将选择性发射极结构与背接触电池相结合，从而大大提高了转换效率，试验证明：与现有技术相比，本发明制得的背接触太阳电池的光电转换效率提升了0.4~0.6%，取得了显著的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN102683484A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201210108283.2 | 申请日期 | 2012.04.13 |
| 申请人 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 | 发明人 | 张凤;王栩生;章灵军 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 陶海锋;陆金星 |
| 主权项 | 一种背接触硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 在硅片的受光面进行制绒；(2) 在硅片的受光面扩散制结；(3) 去除杂质玻璃，然后在硅片受光面的PN结上设置减反射膜；(4) 在硅片受光面内的PN结和背光面孔金属电极区域生长重掺杂层；(5) 采用激光处理重掺杂层得到局部重掺杂发射极，同时采用激光在硅片上开孔；(6) 在上述硅片上制备受光金属电极、孔金属电极和背光金属电极；(7) 在背光面印刷背面电场，烧结，即可得到背接触硅太阳能电池。 | ||
| 地址 | 215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 | ||