发明名称 | 带有热扩散器的半导体结构及其制造方法 | ||
摘要 | 提供了一种半导体结构以及一种用于制造所述结构的方法。该半导体结构包括一个薄膜半导体,该薄膜半导体具有一个活性区域并且被置于一个金刚石基底上。该薄膜半导体优选是直接粘合到该金刚石层上、或者可以通过一种介电胶黏剂而粘附到其上。 | ||
申请公布号 | CN102687268A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
申请号 | CN201180005226.5 | 申请日期 | 2011.01.12 |
申请人 | 诺瓦特安斯集团有限公司 | 发明人 | 艾兰·霍赫斯塔德特;约翰·鲁尔斯顿 |
分类号 | H01L23/373(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/373(2006.01)I |
代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 张华卿;王漪 |
主权项 | 一种半导体结构,由一个具有活性区域的薄膜半导体、以及一个直接粘合到所述薄膜半导体上的热扩散金刚石层组成。 | ||
地址 | 瑞士格基尔 |