发明名称 C波段低插损高抑制微型带通滤波器
摘要 本发明涉及一种C波段低插损高抑制微型带通滤波器,包括表面安装的50欧姆阻抗输入/输出端口、四个并联谐振单元、三个级间耦合电路、一个Z字形交叉耦合电路、输入和输出电感,上述结构均采用多层低温共烧陶瓷工艺技术实现。本发明具有通带选择性好、带外抑制好、插入损耗低、体积小、重量轻、可靠性高、电性能好、相位频率特性线性度好、温度稳定性好、电性能批量一致性好、成本低、可大批量生产等优点。特别适合航空、航天、雷达系统、单兵智能武器、机载和弹载的无线系统中的微型微波器件。
申请公布号 CN102683775A 申请公布日期 2012.09.19
申请号 CN201210078091.1 申请日期 2012.03.22
申请人 南京理工大学常熟研究院有限公司 发明人 戴永胜;吴迎春;陈建锋;范小龙;李旭;戚湧;吴建星;韦晨君;郭风英;韩群飞;尹洪浩;左同生;冯媛;谢秋月;李平;孙宏途;汉敏;王立杰;陈少波;徐利;周聪;张红;陈曦;於秋杉;杨健
分类号 H01P1/203(2006.01)I;H03H7/12(2006.01)I 主分类号 H01P1/203(2006.01)I
代理机构 南京理工大学专利中心 32203 代理人 朱显国
主权项 1.<img file="2012100780911100001DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="1" he="1" />一种C波段低插损高抑制微型带通滤波器,其特征在于:包括表面贴装的50欧姆阻抗输入端口(P1)、输入电感(Lin)、由第一电感(L4)和第一电容(C4)并联而成的第一级并联谐振单元(L4、C4)、由第一耦合电感(L43)和第一耦合电容(C43)串联而成的第一电磁耦合电路(L43、C43)、由第二电感(L3)和第二电容(C3)并联而成的第二级并联谐振单元(L3、C3)、由第二耦合电感(L32)和第二耦合电容(C32)串联而成的第二电磁耦合电路(L32、C32)、由第三电感(L2)和第三电容(C2)并联而成的第三级并联谐振单元(L2、C2)、由第三耦合电感(L21)和第三耦合电容(C21)串联而成的第三电磁耦合电路(L21、C21)、由第四电感(L1)和第四电容(C1)并联而成的第四级并联谐振单元(L1、C1)、由第四耦合电感(L41)和第四耦合电容(C41)串联而成的第四电磁耦合电路(L41、C41)、输出电感(Lout)、表面贴装的50欧姆阻抗输出端口(P2)和接地端;输入端口(P1)与输入电感(Lin)连接,输出端口(P2)与输出电感(Lout)连接,该输出电感(Lout)与输入电感(Lin)之间并联第一级并联谐振单元(L4、C4)、第二级并联谐振单元(L3、C3)、第三级并联谐振单元(L2、C2)和第四级并联谐振单元(L1、C1),在第一级并联谐振单元(L4、C4)与第二级并联谐振单元(L3、C3)之间串联第一电磁耦合电路(L43、C43);第二级并联谐振单元(L3、C3)与第三级并联谐振单元(L2、C2)之间串联第二电磁耦合电路(L32、C32);第三级并联谐振单元(L2、C2)与第四级并联谐振单元(L1、C1)之间串联第三电磁耦合电路(L21、C21);第一级并联谐振单元(L4、C4)与第四级并联谐振单元(L1、C1)之间串联第四电磁耦合电路(L41、C41);所述的第一级并联谐振单元(L4、C4)、第二级并联谐振单元(L3、C3)、第三级并联谐振单元(L2、C2)和第四级并联谐振单元(L1、C1)的另一端分别接地。
地址 215513 江苏省苏州市常熟经济技术开发区科创园研究院路5号