发明名称 |
基于Cu膜退火的SiC与Cl<sub>2</sub>反应制备结构化石墨烯的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于Cu膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法,主要解决现有技术制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其制作过程是:(1)对SiC样片进行标准清洗;(2)在清洗后的SiC样片表面淀积一层SiO2,并刻出图形窗口;(3)将开窗后的样片置于石英管中,在700-1100℃下使裸露的SiC与Cl2反应,生成碳膜;(4)将生成的碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除窗口之外的SiO2;(5)将去除SiO2后的碳膜样片置于Cu膜上,再将它们一同置于Ar气中,在温度为900-1200℃下退火15-25min,使碳膜在窗口位置重构成结构化石墨烯。本发明具有工艺简单,安全性高,结构化石墨烯表面光滑,连续性好,孔隙率低的优点,可用于制作微电子器件。 |
申请公布号 |
CN102674332A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210162384.8 |
申请日期 |
2012.05.23 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
郭辉;邓鹏飞;张玉明;张克基;雷天民;张凤祁 |
分类号 |
C01B31/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/04(2006.01)I |
代理机构 |
陕西电子工业专利中心 61205 |
代理人 |
王品华;朱红星 |
主权项 |
一种基于Cu膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法,包括以下步骤:(1)对SiC样片进行清洗,以去除表面污染物;(2)在清洗后的SiC样片表面利用等离子体增强化学气相沉积PECVD方法,淀积一层0.4‑1.2μm厚的SiO2,作为掩膜;(3)在掩膜表面涂一层光刻胶,再在掩膜上刻出与所需制作器件的衬底形状相同的窗口,露出SiC,形成结构化图形;(4)将开窗后的样片置于石英管中,加热至700‑1100℃;(5)向石英管中通入Ar气和Cl2气的混合气体,持续4‑10min,使Cl2与裸露的SiC发生反应,生成碳膜;(6)将生成的碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中以去除窗口之外的SiO2;(7)将去除SiO2后的碳膜样片置于Cu膜上,再将它们一同置于Ar气中,在温度为900‑1200℃下退火15‑25min,使碳膜在窗口位置重构成结构化石墨烯,再将Cu膜从结构化石墨烯样片上取开。 |
地址 |
710071 陕西省西安市太白南路2号 |