发明名称 |
一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法,该方法利用SU-8负性光刻胶形成衍射光学元件光刻胶图形,之后通过旋涂无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ,对样品进行X射线辐照使无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ转变为类石英,最后通过浓硫酸和双氧水的混合液去除SU-8负性光刻胶形成位相型衍射光学元件。该方法快速有效地去除了X射线曝光后的SU-8负性光刻胶,并且在X射线曝光的同时将HSQ转变为类石英,可以制备出石英底部非常光滑的位相型衍射光学元件。这种方法具有稳定可靠且与传统的光刻工艺相兼容的优点。 |
申请公布号 |
CN102681335A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201110061444.2 |
申请日期 |
2011.03.15 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
李海亮;谢常青;牛洁斌;朱效立;史丽娜;刘明 |
分类号 |
G03F7/00(2006.01)I;G03F7/30(2006.01)I;G02B5/18(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法,其特征在于,该方法利用SU‑8负性光刻胶形成衍射光学元件光刻胶图形,之后通过旋涂无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ,对样品进行X射线辐照使无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ转变为类石英,最后通过浓硫酸和双氧水的混合液去除SU‑8负性光刻胶形成位相型衍射光学元件。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |